Para Light lanza nuevos MOSFET de SiC con estabilidad térmica y eficiencia mejoradas para centros de datos y uso industrial. Para Light launches new SiC MOSFETs with improved thermal stability and efficiency for data centers and industrial use.

Para Light ha lanzado sus ThermaFlat SiC MOSFET, reclamando un rendimiento térmico innovador con una resistencia estable de -25 °C a + 125 °C. Para Light has launched its ThermaFlat SiC MOSFETs, claiming breakthrough thermal performance with stable on-resistance from -25°C to +125°C. Los modelos de 650 V y 1200 V muestran un aumento mínimo de la resistencia, reduciendo las necesidades de refrigeración y aumentando la eficiencia. The 650V and 1200V models show minimal resistance increase, reducing cooling needs and boosting efficiency. Utilizando un pin fuente Kelvin en un paquete TO-247-4, redujeron las pérdidas de conmutación hasta en un 35%. Using a Kelvin source pin in a TO-247-4 package, they cut switching losses by up to 35%. Dirigidos a fuentes de alimentación de centros de datos, unidades industriales y sistemas UPS, los nuevos dispositivos marcan la entrada de Para Light en el mercado SiC MOSFET, con el objetivo de establecer un nuevo estándar para la fiabilidad y eficiencia de la electrónica de potencia. Targeted at data center power supplies, industrial drives, and UPS systems, the new devices mark Para Light’s entry into the SiC MOSFET market, aiming to set a new standard for power electronics reliability and efficiency.