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China insta al esfuerzo nacional para desarrollar litografía avanzada para el año 2030 en medio de las restricciones tecnológicas de los Estados Unidos.
Los líderes de semiconductores chinos están instando a un esfuerzo nacional unificado para desarrollar sistemas de litografía avanzados para 2030, con el objetivo de crear una alternativa doméstica a ASML.
Citan las restricciones estadounidenses sobre la tecnología de chips, la fragmentación en la industria china y las brechas en la litografía EUV, el software EDA y los materiales críticos como desafíos clave.
Si bien se han logrado avances en los componentes individuales, la integración sigue siendo un obstáculo.
La convocatoria se alinea con el impulso de China hacia la autosuficiencia tecnológica, con el apoyo del gobierno enfatizado para la coordinación de la investigación y las plataformas de I+D.
China urges national effort to develop advanced lithography by 2030 amid U.S. tech restrictions.