Toshiba lanza MOSFET compactos y eficientes de 650 V SiC, aumentando la densidad de potencia para usos industriales. Toshiba launches compact, efficient 650V SiC MOSFETs, boosting power density for industrial uses.

Toshiba ha introducido cuatro nuevos MOSFET de carburo de silicio (SiC) de 650 V en un paquete compacto DFN8x8, reduciendo el volumen del dispositivo en más del 90% en comparación con los modelos anteriores. Toshiba has introduced four new 650V silicon carbide (SiC) MOSFETs in a compact DFN8x8 package, reducing device volume by over 90% compared to older models. Estos MOSFET, adecuados para usos industriales como fuentes de alimentación y generadores fotovoltaicos, reducen significativamente las pérdidas de conmutación y mejoran la densidad de potencia. These MOSFETs, suitable for industrial uses like power supplies and photovoltaic generators, significantly cut switching losses and improve power density. Toshiba pretende mejorar la eficiencia del equipo y la capacidad de potencia con estos avances. Toshiba aims to enhance equipment efficiency and power capacity with these advancements.