Investigadores en China revelan PoX, una tecnología de memoria flash 10.000 veces más rápida que las opciones actuales. Researchers in China unveil PoX, a flash memory tech 10,000 times faster than current options.

Investigadores de la Universidad de Fudan en China han creado una nueva tecnología de memoria flash llamada PoX, que puede almacenar datos a una velocidad sin precedentes de un bit por cada 400 picosegundos. Researchers at Fudan University in China have created a new flash memory technology called PoX, which can store data at an unprecedented speed of one bit per 400 picoseconds. Esta memoria no volátil, capaz de retener datos sin energía, es aproximadamente 10.000 veces más rápida que la memoria flash actual y supera significativamente los tipos tradicionales de memoria volátil como SRAM y DRAM. This non-volatile memory, capable of retaining data without power, is about 10,000 times faster than current flash memory and significantly outperforms traditional volatile memory types like SRAM and DRAM. La innovación podría potencialmente revolucionar las soluciones de almacenamiento en los sistemas de IA y la electrónica de consumo, ofreciendo una operación más rápida y un menor consumo de energía. The innovation could potentially revolutionize storage solutions in AI systems and consumer electronics, offering faster operation and lower power consumption.