Científicos chinos revelan la memoria flash más rápida del mundo, "PoX", que almacena datos en 400 picosegundos. Chinese scientists unveil world's fastest flash memory, "PoX," storing data in 400 picoseconds.

Científicos chinos han creado la memoria flash más rápida del mundo, llamada "PoX", que puede almacenar un bit de datos en tan solo 400 picosegundos. Chinese scientists have created the world's fastest flash memory, named "PoX," which can store one bit of data in just 400 picoseconds. Esta memoria no volátil supera las tecnologías volátiles actuales y marca un nuevo récord. This non-volatile memory outperforms current volatile technologies and sets a new record. Desarrollado por investigadores de la Universidad de Fudan que utilizan tecnología innovadora de grafeno y optimización de IA, el dispositivo podría mejorar significativamente la operación de grandes modelos de IA y remodelar la tecnología de almacenamiento a nivel mundial. Developed by Fudan University researchers using innovative graphene technology and AI optimization, the device could significantly enhance the operation of large AI models and reshape storage technology globally. Los hallazgos fueron publicados en Nature. The findings were published in Nature.