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Los investigadores descubren monopolos OAM en semi-metales topológicos quirales, permitiendo dispositivos de memoria energéticamente eficientes en orbitronics.
Investigadores del Instituto Paul Scherrer han descubierto monopolos de impulso angular orbital (OAM) en semi-metales topológicos quirales, una nueva clase de materiales.
Estos materiales, caracterizados por una estructura atómica helicoidal, pueden generar eficientemente corrientes OAM, allanando el camino para dispositivos de memoria energéticamente eficientes en el campo emergente de la orbitrónica.
Este avance promete reducir el impacto ambiental de la electrónica tradicional.
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Researchers discover OAM monopoles in chiral topological semi-metals, enabling energy-efficient memory devices in orbitronics.