STMicroelectronics lanza la tecnología SiC MOSFET de cuarta generación para inversores de tracción EV, apuntando a la eficiencia de potencia, densidad y robustez.

STMicroelectronics ha lanzado su tecnología de carburo de silicio de cuarta generación (SiC) MOSFET, destinada a mejorar la eficiencia energética, la densidad y la robustez de los inversores de tracción de vehículos eléctricos (EV). La clase 750V está calificada, con 1200V previstos para el primer trimestre de 2025. La tecnología también admite aplicaciones industriales de alta potencia, mejorando el rendimiento y reduciendo el peso en los vehículos eléctricos. ST planea nuevas innovaciones a través de 2027 para impulsar la adopción masiva de la movilidad eléctrica y la sostenibilidad.

September 24, 2024
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