STMicroelectronics lanza la tecnología SiC MOSFET de cuarta generación para inversores de tracción EV, apuntando a la eficiencia de potencia, densidad y robustez. STMicroelectronics launches 4th-gen SiC MOSFET tech for EV traction inverters, targeting power efficiency, density, and robustness.

STMicroelectronics ha lanzado su tecnología de carburo de silicio de cuarta generación (SiC) MOSFET, destinada a mejorar la eficiencia energética, la densidad y la robustez de los inversores de tracción de vehículos eléctricos (EV). STMicroelectronics has launched its fourth-generation silicon carbide (SiC) MOSFET technology, aimed at improving power efficiency, density, and robustness for electric vehicle (EV) traction inverters. La clase 750V está calificada, con 1200V previstos para el primer trimestre de 2025. The 750V class is qualified, with 1200V expected by Q1 2025. La tecnología también admite aplicaciones industriales de alta potencia, mejorando el rendimiento y reduciendo el peso en los vehículos eléctricos. The technology also supports high-power industrial applications, enhancing performance and reducing weight in EVs. ST planea nuevas innovaciones a través de 2027 para impulsar la adopción masiva de la movilidad eléctrica y la sostenibilidad. ST plans further innovations through 2027 to drive mass adoption of electric mobility and sustainability.