Shin-Etsu Chemical desarrollará sustrato GaN de 300 mm para mejorar el rendimiento de los semiconductores. Shin-Etsu Chemical to develop 300-mm GaN substrate for enhanced semiconductor performance.

Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. desarrolla un sustrato QSTTM diseñado para aplicaciones de nitruro de galio de 300 mm (GaN). Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. is set to develop a QST™ substrate designed for 300-mm gallium nitride (GaN) applications. Esta innovación tiene por objeto mejorar el rendimiento y la eficiencia de los dispositivos semiconductores, lo que refleja el compromiso de la empresa con el avance de la tecnología en el sector de los semiconductores. This innovation aims to enhance the performance and efficiency of semiconductor devices, reflecting the company's commitment to advancing technology in the semiconductor sector.