Shin-Etsu Chemical desarrollará sustrato GaN de 300 mm para mejorar el rendimiento de los semiconductores.
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. desarrolla un sustrato QSTTM diseñado para aplicaciones de nitruro de galio de 300 mm (GaN). Esta innovación tiene por objeto mejorar el rendimiento y la eficiencia de los dispositivos semiconductores, lo que refleja el compromiso de la empresa con el avance de la tecnología en el sector de los semiconductores.
September 05, 2024
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