Toshiba completa una instalación de fabricación de obleas de 300 mm para semiconductores de potencia en Japón, lo que marca la Fase 1 de un programa de inversión de varios años.
Toshiba ha completado una nueva instalación de fabricación de obleas de 300 mm para semiconductores de potencia en Kaga Toshiba Electronics Corporation en Japón. Este hito marca el inicio de la Fase 1 del programa de inversión plurianual de Toshiba. La instalación cuenta con una estructura de aislamiento sísmico, fuentes de energía redundantes y funcionará con energía renovable. Se espera que la producción en masa comience en la segunda mitad del año fiscal 2024, lo que aumentará 2,5 veces la capacidad de producción de semiconductores de potencia de Toshiba en comparación con el año fiscal 2021.
May 23, 2024
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